CVD系统配有前端预加热炉，辅助固态源蒸发，后端为单温区加热炉 ，温度控制精确，操作简便，对于气相沉积，二维材料，等离子处理生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。
1.与传统CVD系统比较，生长温度更低。
2.使用滑轨炉实现快速升温和降温。
3.设备特有的技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长
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