七、微服务架构中的“雪崩效应”
要防止雪崩的扩散，我们就要做好服务的容错，容错说白了就是保护自己不被猪队友拖垮的一些措施, 常见的服务容错思路有：
它是指将系统按照一定的原则划分为若干个服务模块，各个模块之间相对独立，无强依赖。当有故障发生时，能将问题和影响隔离在某个模块内部，而不扩散风险，不波及其它模块，不影响整体的系统服务。常见的隔离方式有：线程池隔离和信号量隔离．
在上游服务调用下游服务的时候，设置一个***响应时间，如果超过这个时间，下游未作出反应，
就断开请求，释放掉线程。
限流就是限制系统的输入和输出流量已达到保护系统的目的。为了保证系统的稳固运行,一旦达到
的需要限制的阈值,就需要限制流量并采取少量措施以完成限制流量的目的。
在互联网系统中，当下游服务因访问压力过大而响应变慢或失败，上游服务为了保护系统整体的可用性，可以暂时切断对下游服务的调用。这种牺牲局部，保全整体的措施就叫做熔断。
服务熔断一般有三种状态：
降级其实就是为服务提供一个托底方案，一旦服务无法正常调用，就使用托底方案。
Hystrix是由Netflix开源的一个延迟和容错库，用于隔离访问远程系统、服务或者第三方库，防止
级联失败，从而提升系统的可用性与容错性。
Resilicence4J一款非常轻量、简单，并且文档非常清晰、丰富的熔断工具，这也是Hystrix官方推
荐的替代产品。不仅如此，Resilicence4j还原生支持Spring Boot 1.x/2.x，而且监控也支持和
prometheus等多款主流产品进行整合。
Sentinel 是阿里巴巴开源的一款断路器实现，本身在阿里内部已经被大规模采用，非常稳定。
下面是三个组件在各方面的对比：
职场上的雪崩效应
记得电视剧《归去来》里有一句经典台词，说是“雪崩发生时，没有一片雪花会认为是自己的责任。”这在职场上，是非常普遍存在的现象。我暂且就称它为“职场上的雪崩效应。”
职场上的雪崩效应，尤其适应在新入职的关键岗位人员。大家都知道，对于任何一个职场，任何一个新入职的人员来说，都会有一种陌生感，或者是一种恐惧感。新人就是在综合作用的效果下开始适应，并投入工作，直至建立感情，爱上岗位爱上公司。
但是，对于任何一个新人，职场上总会有人去“欺负他”，这也可以说是“老兵欺负新兵”，“多年媳妇儿熬成婆”。当职场新人接受到来自四面八方的“欺负”而产生的积攒在心里的“怨气”越来越大，大于建立起来的新鲜感或者***的时候，情感天平就会倾斜，新人就会容易离职。这就是职场上新人入职过程中的“雪崩效应”。
当新人离职出现时，很多欺负过他的老兵会认识不到或是干脆不承认，即使承认了，也顶多会说“我只是没注意而已，谁让他那么敏感到玻璃心呢”，掩盖了自己的行为正有可能是“倾斜天平的最后一根羽毛”。
而这种现象，在职场上，非常非常的普遍。普遍到，几乎每家公司都有。甚至是每天都在发生。
这就是“职场上的雪崩效应”，雪花根本感觉不到自己的责任！或者是不会承认！这是一个文化的问题！而文化问题，是大问题！
聊聊微服务架构中的雪崩效应及其解决方案
在大型互联网站建设过程中，网站的性能都是受服务器主机性能约束的，比如CPU、GPU、RAM等硬件设备。由于当前计算机硬件技术的支持有限，高性能服务器的成本巨大，我们在网站搭建过程中，需要通过软件手段来控制网站雪崩效应，Hystrix可以帮我们保护服务，实现网站的高可用性。
比如同时有10000个用户提交订单，由订单服务order的submitOrder()去处理，订单服务order所在的服务器主机配置很低，tomcat线程池***数设置为20。每个请求占用一个线程，使用完毕后才会释放，那么线程池的线程会被全部占用，剩下的请求进入缓存队列，排队等待线程分配。如果这种等待时间过长，会产生如下可能问题：
什么是雪崩增益效应
半导体雪崩光电二极管
具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点，适用于以微弱光信号的探测和接收，在光纤通信、激光测距和其他光电转换数据处理等系统中应用较广。
当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时，二极管进入雪崩击穿状态；在此以前，只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离，则通过耗尽层的载流子就会具有某个平均的雪崩倍增值。
碰撞电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增，从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。1953年，K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲报道锗和硅的PN结在接近击穿时的光电流倍增现象。1955年，S.L.密勒指出在突变PN结中，载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示
M＝1/[1-(V/VB)n]
式中VB是体击穿电压,n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时，二极管获得很高的光电流增益。PN结在任何小的局部区域的提前击穿都会使二极管的使用受到限制，因而只有当一个实际的器件在整个PN结面上是高度均匀时，才能获得高的有用的平均光电流增益。因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上是工作于接近（但没有达到）雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。1965年，K.M.约翰逊及L.K.安德森等分别报道了在微波频率下仍然具有相当高光电流增益的、均匀击穿的半导体雪崩光电二极管。从此，雪崩光电二极管作为一种新型、高速、灵敏的固态光电探测器件渐渐受到重视。
性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。半导体中两种载流子的碰撞离化能力可能不同，因而使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽区有利于在相同的电场条件下获得较高的雪崩倍增。但是，光电流的这种雪崩倍增并不是绝对理想的。一方面，由于嚔随注入光强的增加而下降，使雪崩光电二极管的线性范围受到一定的限制，另一方面更重要的是，由于载流子的碰撞电离是一种随机的过程，亦即每一个别的载流子在耗尽层内所获得的雪崩增益可以有很广泛的几率分布,因而倍增后的光电流I比倍增前的光电流I0有更大的随机起伏，即光电流中的噪声有附加的增加。与真空光电倍增管相比，由于半导体中两种载流子都具有离化能力，使得这种起伏更为严重。一般将光电流中的均方噪声电流〈i戬〉表示为
〈i戬〉＝2qI0嚔2F(嚔)B
式中q为电子电荷,B为器件工作带宽，F(嚔)表示雪崩倍增过程所引起噪声的增加，称为过剩噪声因子。一般情况下,F随嚔的变化情况相当复杂。有时为简单起见，近似地将F表示为F＝嚔x,x称为过剩噪声指数。F或x是雪崩光电二极管的重要参数。
由于F大于1，并随嚔的增加而增加，因而只有当一个接收系统（包括探测器件即雪崩光电二极管、负载电阻和前置放大器）的噪声主要由负载电阻及放大器的热噪声所决定时，提高雪崩增益嚔可以有效地提高系统的信噪比，从而使系统的探测性能获得改善；相反，当系统的噪声主要由光电流的噪声决定时，增加嚔就不再能使系统的性能改善。这里起主要作用的是过剩噪声因子F的大小。为获得较小的F值，应采用两种载流子离化能力相差大的材料，使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽层，并合理设计器件结构。
载流子在耗尽层中获得的雪崩增益越大，雪崩倍增过程所需的时间越长。因而，雪崩倍增过程要受到“增益-带宽积”的限制。在高雪崩增益情况下,这种限制可能成为影响雪崩光电二极管响应速度的主要因素之一。但在适中的增益下，与其他影响光电二极管响应速度的因素相比，这种限制往往不起主要作用，因而雪崩光电二极管仍然能获得很高的响应速度。现代雪崩光电二极管增益-带宽积已达几百吉赫。
与一般的半导体光电二极管一样，雪崩光电二极管的光谱灵敏范围主要取决于半导体材料的***带宽度。制备雪崩光电二极管的材料有硅、锗、砷化镓和磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物及其三元、四元固熔体。根据形成耗尽层方法的不同,雪崩光电二极管有PN结型(同质的或异质结构的PN结。其中又有一般的PN结、PIN结及诸如 N+PπP+结等特殊的结构)、金属半导体肖特基势垒型和金属-氧化物-半导体结构等。
与真空光电倍增管相比，雪崩光电二极管具有小型、不需要高压电源等优点，因而更适于实际应用；与一般的半导体光电二极管相比，雪崩光电二极管具有灵敏度高、速度快等优点，特别当系统带宽比较大时，能使系统的探测性能获得大的改善。
关于雪崩效应和雪崩效应和蝴蝶效应的介绍到此就结束了，不知道你从中找到你需要的信息了吗 ？如果你还想了解更多这方面的信息，记得收藏关注本站。